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APT100GN60B2G
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APT100GN60B2G技术资料
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APT100GN60B2G
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
IGBT 600V 229A 625W TMAX
原厂封装:
TO-247-3 变式
优势价格,APT100GN60B2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APT100GN60B2G的技术资料下载
APT100GN60B2G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:APT100GN60B2G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:IGBT 600V 229A 625W TMAX
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):229A
电流-集电极脉冲(Icm):300A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,100A
功率-最大值:625W
开关能量:4.7mJ(开),2.675mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:600nC
25°C时Td(开/关)值:31ns/310ns
测试条件:400V,100A,1 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3 变式
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