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APT30GS60BRDQ2G
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APT30GS60BRDQ2G技术资料
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APT30GS60BRDQ2G
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
IGBT 600V 54A 250W SOT227
原厂封装:
TO-247-3
优势价格,APT30GS60BRDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APT30GS60BRDQ2G的技术资料下载
APT30GS60BRDQ2G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:APT30GS60BRDQ2G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:IGBT 600V 54A 250W SOT227
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:Thunderbolt IGBT?
零件状态:有源
IGBT类型:NPT
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):54A
电流-集电极脉冲(Icm):113A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3.15V @ 15V,30A
功率-最大值:250W
开关能量:570μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:145nC
25°C时Td(开/关)值:16ns/360ns
测试条件:400V,30A,9.1 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):25ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3
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