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APT33GF120B2RDQ2G的图片

APT33GF120B2RDQ2G

Microchip图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：Microchip(微芯科技)
功能简述：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
原厂封装：TO-247-3 变式
优势价格，APT33GF120B2RDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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APT33GF120B2RDQ2G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
  • 制造商产品型号：APT33GF120B2RDQ2G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：IGBT 1200V 64A 357W TMAX
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：64A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：75A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，25A
  • 功率-最大值：357W
  • 开关能量：1.315mJ（开），1.515mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：170nC
  • 25°C时Td（开/关）值：14ns/185ns
  • 测试条件：800V，25A，4.3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3 变式
  • 想获取APT33GF120B2RDQ2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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