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APT45GP120B2DQ2G的图片

APT45GP120B2DQ2G

Microchip图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：Microchip(微芯科技)
功能简述：IGBT 1200V 113A 625W TMAX
原厂封装：TO-247-3 变式
优势价格，APT45GP120B2DQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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APT45GP120B2DQ2G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
  • 制造商产品型号：APT45GP120B2DQ2G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：IGBT 1200V 113A 625W TMAX
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：POWER MOS 7
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：113A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：170A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.9V @ 15V，45A
  • 功率-最大值：625W
  • 开关能量：900J（开），905J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：185nC
  • 25°C时Td（开/关）值：18ns/100ns
  • 测试条件：600V，45A，5 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3 变式
  • 想获取APT45GP120B2DQ2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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