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APT50GP60B2DQ2G
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APT50GP60B2DQ2G技术资料
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APT50GP60B2DQ2G
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
Microchip(微芯科技)
功能简述：
IGBT 600V 150A 625W TMAX
原厂封装：
TO-247-3 变式
优势价格，APT50GP60B2DQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APT50GP60B2DQ2G的技术资料下载
APT50GP60B2DQ2G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号：APT50GP60B2DQ2G
制造商：Microchip Technology（微芯科技）
描述：IGBT 600V 150A 625W TMAX
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：POWER MOS 7?
零件状态：不適用於新設計
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：150A
电流-集电极脉冲(Icm)：190A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，50A
功率-最大值：625W
开关能量：465μJ（开），635μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：165nC
25°C时Td（开/关）值：19ns/85ns
测试条件：400V，50A，4.3 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3 变式
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