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APTC60DDAM45T1G
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APTC60DDAM45T1G技术资料
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APTC60DDAM45T1G
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
Microchip(微芯科技)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
原厂封装：
SP1
优势价格，APTC60DDAM45T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTC60DDAM45T1G的技术资料下载
APTC60DDAM45T1G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号：APTC60DDAM45T1G
制造商：Microchip Technology（微芯科技）
描述：MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：CoolMOS?
零件状态：有源
FET类型：2 N 沟道（双路降压斩波器）
FET功能：超级结
漏源电压（Vdss）：600V
25°C时电流-连续漏极(Id)：49A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 24.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 3mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7200pF @ 25V
功率-最大值：250W
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装：SP1
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