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APTM120DA30CT1G
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APTM120DA30CT1G价格
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APTM120DA30CT1G技术资料
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APTM120DA30CT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
原厂封装:
SP1
优势价格,APTM120DA30CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTM120DA30CT1G的技术资料下载
APTM120DA30CT1G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:APTM120DA30CT1G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:POWER MOS 8?
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1200V
25°C时电流-连续漏极(Id):31A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):360 毫欧 @ 25A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):560nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):14560pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):657W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
器件封装:SP1
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