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APTM120H29FG
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APTM120H29FG技术资料
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APTM120H29FG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
原厂封装:
SP6
优势价格,APTM120H29FG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTM120H29FG的技术资料下载
APTM120H29FG的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:APTM120H29FG
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:POWER MOS 7
零件状态:有源
FET类型:4 个 N 通道(H 桥)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C时电流-连续漏极(Id):34A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):348 毫欧 @ 17A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):374nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):10300pF @ 25V
功率-最大值:780W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP6
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