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    APTM120H29FG的图片

    APTM120H29FG

    Microchip图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
    制造厂商：Microchip(微芯科技)
    功能简述：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
    原厂封装：SP6
    优势价格，APTM120H29FG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    APTM120H29FG的技术资料下载
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    APTM120H29FG的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
  • 制造商产品型号：APTM120H29FG
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：POWER MOS 7?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：34A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：348 毫欧 @ 17A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：374nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10300pF @ 25V
  • 功率-最大值：780W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP6
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