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APTM50DDA10T3G
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APTM50DDA10T3G技术资料
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APTM50DDA10T3G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
原厂封装:
SP3
优势价格,APTM50DDA10T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTM50DDA10T3G的技术资料下载
APTM50DDA10T3G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:APTM50DDA10T3G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):500V
25°C时电流-连续漏极(Id):37A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 18.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):96nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4367pF @ 25V
功率-最大值:312W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP3
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