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APTM50DHM38G
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APTM50DHM38G技术资料
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APTM50DHM38G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
原厂封装:
SP6
优势价格,APTM50DHM38G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTM50DHM38G的技术资料下载
APTM50DHM38G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:APTM50DHM38G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):500V
25°C时电流-连续漏极(Id):90A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 45A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):246nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):11200pF @ 25V
功率-最大值:694W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP6
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