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APTM50H10FT3G
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APTM50H10FT3G技术资料
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APTM50H10FT3G
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
Microchip(微芯科技)
功能简述：
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
原厂封装：
SP3
优势价格，APTM50H10FT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTM50H10FT3G的技术资料下载
APTM50H10FT3G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号：APTM50H10FT3G
制造商：Microchip Technology（微芯科技）
描述：MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：500V
25°C时电流-连续漏极(Id)：37A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 18.5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：96nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4367pF @ 25V
功率-最大值：312W
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装：SP3
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