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APTM60H23FT1G
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APTM60H23FT1G价格
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APTM60H23FT1G技术资料
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APTM60H23FT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
原厂封装:
SP1
优势价格,APTM60H23FT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTM60H23FT1G的技术资料下载
APTM60H23FT1G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:APTM60H23FT1G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:4 个 N 通道(H 桥)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):600V
25°C时电流-连续漏极(Id):20A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):276 毫欧 @ 17A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):165nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5316pF @ 25V
功率-最大值:208W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP1
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