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DN2625DK6-G
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DN2625DK6-G技术资料
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DN2625DK6-G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
原厂封装:
8-VDFN
优势价格,DN2625DK6-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DN2625DK6-G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:DN2625DK6-G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:耗尽模式
漏源电压(Vdss):250V
25°C时电流-连续漏极(Id):1.1A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.5 欧姆 @ 1A,0V
不同Id时Vgs(th)(最大值):-
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):7.04nC @ 1.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1000pF @ 25V
功率-最大值:-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-VDFN
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