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    DN3135N8-G的图片

    DN3135N8-G

    Microchip图标
    单端场效应管
    制造厂商：Microchip微芯
    功能简述：MOSFET N-CH 350V 135MA SOT89-3
    原厂封装：TO-243AA
    优势价格，DN3135N8-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    DN3135N8-G的技术资料下载
    电话询问价格
    DN3135N8-G的功能参数资料 - Microchip微芯提供
  • Microchip微芯原厂型号：DN3135N8-G
  • 制造厂家名称：Microchip Technology
  • 描述：MOSFET N-CH 350V 135MA SOT89-3
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：耗尽模式
  • 漏源极电压 (Vdss)：350V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：135mA（Tj）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 欧姆 @ 150mA， 0V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：120pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：1.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装：TO-243AA
  • Microchip封装：TO-243AA （SOT89）
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