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LN100LA-G
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LN100LA-G技术资料
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LN100LA-G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 1200V
原厂封装:
6-VFLGA
优势价格,LN100LA-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
LN100LA-G的技术资料下载
LN100LA-G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:LN100LA-G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET 2N-CH 1200V
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:2 N-沟道(级联)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C时电流-连续漏极(Id):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3000 欧姆 @ 2mA,2.8V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.6V @ 10A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V
功率-最大值:350mW
工作温度:-25°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:6-VFLGA
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