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LND01K1-G的图片

LND01K1-G

Microchip图标
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：Microchip(微芯科技)
功能简述：MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
原厂封装：SOT-23-5
优势价格，LND01K1-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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LND01K1-G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
  • 制造商产品型号：LND01K1-G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：9V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：330mA（Tj）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：0V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 100mA，0V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：+0.6V，-12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：46pF @ 5V
  • FET功能：耗尽模式
  • 功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
  • 工作温度：-25°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-5
  • 想获取LND01K1-G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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