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LND150N3-G-P003的图片

LND150N3-G-P003

单端场效应管

制造厂商：Microchip微芯

功能简述：MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

原厂封装：TO-92-3

优势价格，LND150N3-G-P003的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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LND150N3-G-P003的功能参数资料 - Microchip微芯提供

Microchip微芯原厂型号：LND150N3-G-P003

制造厂家名称：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：500V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30mA（Tj）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1000 欧姆 @ 500μA， 0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10pF @ 25V

功率 - 最大值：740mW

安装类型：通孔

封装：TO-226-3，TO-92-3 标准主体

Microchip封装：TO-92-3

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