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LND150N8-G的图片

LND150N8-G

Microchip图标
单端场效应管
制造厂商:Microchip微芯
功能简述:MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
原厂封装:SOT-89-3
优势价格,LND150N8-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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LND150N8-G的功能参数资料 - Microchip微芯提供
  • Microchip微芯原厂型号:LND150N8-G
  • 制造厂家名称:Microchip Technology
  • 描述:MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:耗尽模式
  • 漏源极电压 (Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30mA(Tj)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1000 欧姆 @ 500μA, 0V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装:TO-243AA
  • Microchip封装:SOT-89-3
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