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APT29F100B2
-的报价和技术资料 - Microchip授权中国代理商 |
APT29F100B2
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
原厂封装:
封装:T-MAX [B2]
优势价格,APT29F100B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APT29F100B2的技术资料下载
APT29F100B2的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
型号:APT29F100B2
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:T-MAX [B2]
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):440 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):260 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1040W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:T-MAX [B2]
封装/外壳:TO-247-3 变式
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