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APTC60AM83BC1G
-的报价和技术资料 - Microchip授权中国代理商 |
APTC60AM83BC1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
原厂封装:
封装:SP1
优势价格,APTC60AM83BC1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTC60AM83BC1G的技术资料下载
APTC60AM83BC1G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
制造商产品型号:APTC60AM83BC1G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:CoolMOS
零件状态:停产
FET类型:3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)
FET功能:超级结
漏源电压(Vdss):600V
25°C时电流-连续漏极(Id):36A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):83 毫欧 @ 24.5A、 10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 3mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):250nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V
功率-最大值:250W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP1
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