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Microchip
APTC80H15T1G的图片

APTC80H15T1G

Microchip图标
场效应管模块
制造厂商:Microchip(微芯科技)
功能简述:MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
原厂封装:SP1
优势价格,APTC80H15T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
电话询问价格
APTC80H15T1G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
  • Microsemi美高森美完整型号:APTC80H15T1G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
  • 描述:MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
  • 系列:-
  • FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):800V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):28A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 14A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4507pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:277W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP1
  • 供应商器件封装:SP1
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