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APTC90DAM60T1G
-的报价和技术资料 - Microchip授权中国代理商 |
APTC90DAM60T1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
原厂封装:
器件封装:SP1
优势价格,APTC90DAM60T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTC90DAM60T1G的技术资料下载
APTC90DAM60T1G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
制造商产品型号:APTC90DAM60T1G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:CoolMOS
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):900V
25°C时电流-连续漏极(Id):59A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):60 毫欧 @ 52A、 10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):540nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13600pF @ 100V
FET功能:超级结
功率耗散(最大值):462W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
器件封装:SP1
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