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Microchip
APTGF30H60T1G的图片

APTGF30H60T1G

Microchip图标
IGBT模块
制造厂商:Microchip(微芯科技)
功能简述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
原厂封装:SP1
优势价格,APTGF30H60T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
电话询问价格
APTGF30H60T1G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
  • Microsemi美高森美完整型号:APTGF30H60T1G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
  • 描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 配置:全桥反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):42A
  • 功率 - 最大值:140W
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.45V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250A
  • 不同 Vce 时的输入电容 (Cies):1.35nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:是
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP1
  • 供应商器件封装:SP1
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