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APTGT35DA120D1G
-的报价和技术资料 - Microchip授权中国代理商 |
APTGT35DA120D1G
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
原厂封装:
封装:D1
优势价格,APTGT35DA120D1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTGT35DA120D1G的技术资料下载
APTGT35DA120D1G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
制造商产品型号:APTGT35DA120D1G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:IGBT MODULE 1200V 55A 205W D1
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:停产
IGBT类型:沟槽型场截止
配置:单路
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):55A
功率-最大值:205W
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,35A
电流-集电极截止(最大值):5mA
不同Vce时输入电容(Cies):2.5nF @ 25V
输入:标准
NTC热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:D1
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