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APTM100VDA35T3G
-的报价和技术资料 - Microchip授权中国代理商 |
APTM100VDA35T3G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
原厂封装:
封装:SP3
优势价格,APTM100VDA35T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
APTM100VDA35T3G的技术资料下载
APTM100VDA35T3G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
制造商产品型号:APTM100VDA35T3G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:POWER MOS 7
零件状态:停产
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):1000V(1kV)
25°C时电流-连续漏极(Id):22A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):420 毫欧 @ 11A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):186nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5200pF @ 25V
功率-最大值:390W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SP3
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