APTSM120AM55CT1AG的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
- 制造商产品型号：APTSM120AM55CT1AG
- 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
- 描述：POWER MODULE - SIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 N 通道（双），肖特基
- FET功能：碳化硅（SiC）
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：74A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 40A，20V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 2mA
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：272nC @ 20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5120pF @ 1000V
- 功率-最大值：470W
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：SP1
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