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JAN1N6170US/TR

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电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
制造厂商：Microchip(微芯科技)
功能简述：TVS DIODE 114VWM 206.3VC SQMELF
原厂封装：封装:C，SQ-MELF
优势价格，JAN1N6170US/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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JAN1N6170US/TR的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
  • 型号:JAN1N6170US/TR
  • 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
  • 封装:C，SQ-MELF
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 114VWM 206.3VC SQMELF
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态（典型值）:114V
  • 电压 - 击穿（最小值）:142.5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:206.3V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):7.3A
  • 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:军用
  • 资质:MIL-PRF-19500/516
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SQ-MELF，C
  • 供应商器件封装:C，SQ-MELF
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