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LND150N8-G
-的报价和技术资料 - Microchip授权中国代理商 |
LND150N8-G
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
原厂封装:
封装:SOT-89-3
优势价格,LND150N8-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
LND150N8-G的技术资料下载
LND150N8-G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
型号:LND150N8-G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SOT-89-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 沟道,耗尽型
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1000 欧姆 @ 500A,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):10 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-89-3
封装/外壳:TO-243AA
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