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MS1N8179US/TR
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MS1N8179US/TR
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
TVS DIODE 120VWM 208VC A SQMELF
原厂封装:
封装:A,SQ-MELF
优势价格,MS1N8179US/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MS1N8179US/TR的技术资料下载
MS1N8179US/TR的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
型号:MS1N8179US/TR
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:A,SQ-MELF
类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
描述:TVS DIODE 120VWM 208VC A SQMELF
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
类型:齐纳
单向通道:1
双向通道:-
电压 - 反向断态(典型值):120V
电压 - 击穿(最小值):138V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):208V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):720mA
功率 - 峰值脉冲:150W
电源线路保护:无
应用:通用
不同频率时电容:-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SQ-MELF,A
供应商器件封装:A,SQ-MELF
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