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MSC080SMA120B4N
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MSC080SMA120B4N
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-247
原厂封装:
封装:TO-247-4
优势价格,MSC080SMA120B4N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MSC080SMA120B4N的技术资料下载
MSC080SMA120B4N的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
型号:MSC080SMA120B4N
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:TO-247-4
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-247
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 15A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):64 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+23V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1031 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):231W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4
封装/外壳:TO-247-4
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