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| TN2130K1-G-的报价和技术资料 - Microchip授权中国代理商 |
TN2130K1-G的图片

TN2130K1-G

Microchip图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：Microchip(微芯科技)
功能简述：MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
原厂封装：封装:TO-236AB（SOT23）
优势价格，TN2130K1-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TN2130K1-G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯科技)提供
  • 型号:TN2130K1-G
  • 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
  • 封装:TO-236AB（SOT23）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85mA（Tj）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 120mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:360mW（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 想获取TN2130K1-G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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