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TP0606N3-G
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TP0606N3-G技术资料
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TP0606N3-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
原厂封装:
TO-92-3
优势价格,TP0606N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TP0606N3-G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:TP0606N3-G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):320mA(Tj)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.5 欧姆 @ 750mA,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):150pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-92-3
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