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VN2110K1-G
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VN2110K1-G
单端场效应管
制造厂商:
Microchip微芯
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
原厂封装:
原厂封装
优势价格,VN2110K1-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
VN2110K1-G的技术资料下载
VN2110K1-G的功能参数资料 - Microchip微芯提供
Microchip微芯原厂型号:VN2110K1-G
制造厂家名称:Microchip Technology
描述:MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):200mA(Tj)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V
功率 - 最大值:360mW
安装类型:表面贴装
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Microchip封装:*
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