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VP2110K1-G
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VP2110K1-G技术资料
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VP2110K1-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
Microchip(微芯科技)
功能简述:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
原厂封装:
TO-236AB(SOT23)
优势价格,VP2110K1-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
VP2110K1-G的技术资料下载
VP2110K1-G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
制造商产品型号:VP2110K1-G
制造商:Microchip Technology(微芯科技)
描述:MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:有源
FET类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100V
25°C时电流-连续漏极(Id):120mA(Tj)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):12 欧姆 @ 500mA,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):60pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):360mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:TO-236AB(SOT23)
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