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VP2206N3-G-P003的图片

VP2206N3-G-P003

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造厂商：Microchip(微芯科技)

功能简述：MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

原厂封装：TO-92-3

优势价格，VP2206N3-G-P003的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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VP2206N3-G-P003的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供

制造商产品型号：VP2206N3-G-P003

制造商：Microchip Technology（微芯科技）

描述：MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：640mA（Tj）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 3.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 10mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：450pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：740mW（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-92-3

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