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    VP2206N3-G的图片

    VP2206N3-G

    Microchip图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    制造厂商：Microchip(微芯科技)
    功能简述：MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
    原厂封装：TO-92-3
    优势价格，VP2206N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    VP2206N3-G的技术资料下载
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    VP2206N3-G的功能参数资料 - Microchip公司(微芯)提供
  • 制造商产品型号：VP2206N3-G
  • 制造商：Microchip Technology（微芯科技）
  • 描述：MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：640mA（Tj）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 3.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 10mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：450pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：740mW（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-92-3
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